产品属性
| 品牌 | 华太 | 批号 | 24+ |
| 封装 | SOT-89-3L | 仓库 |
交易说明：
- 原装正品现货
产品详情
Part Num. Freq
（MHz）VDD
(V)P1dB
(dBm)Gain
(dB)Pavg
(dBm)Test Freq
(MHz)目标应用 Package Process HTA50P3 1800-5000 5 24 29 14 2600 宽带驱动,5G微站，天线系统 QFN3×3 GaAs HTN8G38S004P 700-3800 28 36 19 25 2600 便携设备，5G微站 DFN3×3 LDMOS HTN7G38S007P 700-3800 28 38 14.2 28 3400 便携设备，5G微站 PDFN5×5 LDMOS HTN8G27S015P 700-2700 28 41 20 30 2600 便携设备，5G微站 DFN5×5 LDMOS HTN8G36S015P 3300-4200 28 41 17 30 3500 便携设备，5G微站 DFN5×5 LDMOS HTN8G27S010P 700-2700 28 40 18 29 2140 MDAS，直放站驱动 PDFN6×5 LDMOS HTN8G27S020PG 700-2700 28 44 19 34 2140 MDAS，5G驱动 TO270 LDMOS HTN7G21S040PG 700-2100 28 46 16.1 36 1840 直放站28V/北斗12V TO270 LDMOS HTN8G27P040P 2500-2700 28 46 20 37 2600 64T MIMO，5G驱动 DFN7.5×5 LDMOS HTN7G09S060P 700~960 28 49 21.8 39 940 GSM干放，专网 TO270 LDMOS HTN7G09S120P 700~960 28 50 22.1 40.5 881 电子围栏，直放站 TO270 LDMOS HTH1D27P110H 2500-2700 48 50.8(P5) 16 41.4 2600 32T MIMO，驱动 DFN7×6.5 GaN HTH1D36P120H 3400-3600 48 51(P3) 14 41.4 3500 32T MIMO，驱动 DFN7×6.5 GaN HTH8G09P350H 700-821 48 55.7(P3) 22 47.3 778 30W/40W基站 H2110S-4L LDMOS HTH9G09P550S 700-960 48 57.4(P5) 20 49.5 942 60W基站 ACS2110S-4L LDMOS HTH1D27P550S 2500-2700 48 57.2(P5) 15 47.4 2600 30W/40W基站 ACC2110S-4L GaN HTH1D36P450H 3400-3600 48 56.2(P5) 14 47.4 3500 30W/40W基站 ACC2110S-4L GaN HTH1D09P700S 758-960 48 58.6(P5) 19 50.5 803 80W基站 ACS2110S-4L GaN HTH1D22P360S 1805-2170 48 56.1(P5) 16 48 1840 40/60W基站 H2110S-4L LDMOS HTN7G21P160H 1805~2170 28 52 16.7 44.8 1960 电子围栏，光纤直放站 H2110S-6L LDMOS 5G小基站-MMIC Part Num. Freq
（MHz）VDD
(V)Gain (min) dB Pavg
(dBm)P-3(min) dBm Eff(typical) 目标应用 Package Process H8G0708M06P 728-821 28 19 28 37.3 45 宽带驱动,5G小基站 LGA7×7 LDMOS H8G0810M06P 869-960 28 19 28 37.3 45 宽带驱动,5G小基站 LGA7×7 LDMOS H8G1819M10P 1805-1880 28 27 31 40.5 43 宽带驱动,5G小基站 LGA7×7 LDMOS H8G2022M10P 2110-2170 28 27 31 40.5 43 宽带驱动,5G小基站 LGA7×7 LDMOS H8G2324M10P 2300-2400 28 27 31 40 41 宽带驱动,5G小基站 LGA7×7 LDMOS H8G2527M10P 2500-2700 28 27 31 40 39 宽带驱动,5G小基站 LGA7×7 LDMOS H8G3336M12P 3300-3600 28 33 32 41.5 33 宽带驱动,5G小基站 LGA7×7 LDMOS H8G3540M12P 3600-3800 28 33 32 41 32 宽带驱动,5G小基站 LGA7×7 LDMOS H9G4750M12P 4700-5000 28 30 32 41 28 宽带驱动,5G小基站 LGA7×7 LDMOS H9G1822M60P 1805-2170 28 28.2 35 48 29 宽带驱动，mMIMO OMP400-8 LDMOS H8G1822M100P 1805-2170 28 26.2 38 49.7 25 宽带驱动，mMIMO OMP780-16 LDMOS 移动无线电 Part Num. Min. Freq
（MHz）Max. Freq
（MHz）VDD
(V)Eff(typical) Gain
(dB)Psat
（W）目标应用 Package Process HTU7G06S0P5P 100 1000 3.6/7.2 70/73 10/14 0.7/1.5 0.5W机，5W/10W机推动 SOT89 LDMOS HTU7G06S0P6P 100 1000 3.6/7.2 67/67 10/14 0.7/1.5 2W/5W机推动 SOT23 LDMOS HTU7G06S002P 100 1000 3.6 61 14 2.6 2W机 SOT89 LDMOS HTU7G06S004P 100 1000 3.6 60 12 4 3W机 PDFN3×3 LDMOS HTU7G06S005P 100 1000 3.6 65 11 5 3W机 PDFN5×5 LDMOS HTL7G06S006P 100 1000 7.2 61 13 6 5W机 SOT89 LDMOS HTU7G06S007P 100 1000 3.6 65 10 7 单电池5W机 PDFN5×5 LDMOS HTL7G06S009P 100 1000 7.2/8.4 60 12 8/9 7W模拟机，4W数字机 SOT89 LDMOS HTL7G06S011P 100 1000 3.6/7.2 60/60 10/12 5/11 单电池3W/双电池10W机 PDFN5×5 LDMOS HTM7G06S035P 100 1000 12.5/24 61 15/20 38/100 车台，军工电台，应急广播 TO-270 LDMOS ISM&工业医疗 产品型号 工作频率 (MHz) 工作电压 (V) Psat
（W）DE
（%）Gain
(dB)Test Freq
(MHz)目标应用 Package Process HT647P 600-1600 28 200 59 19.7 CW@1350 宽带专网，军用 ACC2110S-4L LDMOS HT647PL 30-512 28 200 67.9 23.3 CW@450 宽带专网，军用 ACC2110S-4L LDMOS HTH7G14S150H(B) 1.8-1400 50 158 56 21.5 Pulse@860 广播，直放站 H0906 LDMOS HTH7G06P300H(B) 1.8-600 50 430 64 20.8 Pulse@435 广播，雷达，通信 ACC2110S-4L LDMOS HTH8G07P400H(B) 100-700 50 400 60 20 Pulse@600 宽带专网，广播，雷达 ACC2110S-4L LDMOS HTH7G14S030H(B) 1.8-1400 50 30 61 18 Pulse@1200 宽带专网，广播，雷达 H0906 LDMOS HTH7G06P500H(B) 1.8-600 50 550 60 24.6 Pulse@435 广播，雷达，通信 ACC2110S-4L LDMOS HTH8G07P600H(B) 470-700 50 600 63 22 Pulse@600 工业，医疗，雷达 ACC2110S-4L LDMOS HTH8G07P1K0H(B) 470-700 50 1000 60 16.5 Pulse@600 DVB-T，广播 ACC3210S-4L LDMOS HTH8G07P1K4H(B) 1.8-200 50 1400 70 27 CW@60 DVB-T，广播 ACC3210S-4L LDMOS HTH8G02P350H(B) 1.8-200 50 350 70 25 CW@160 宽带专网，广播 ACS2110B-4L LDMOS HTH8G02P550H(B) 1.8-200 50 550 70 25 Pulse@100 宽带专网，广播，工业医疗 ACS2110B-4L LDMOS 射频能量 产品型号 工作频率 (MHz) 工作电压 (V) P-1dB
（W）DE
（%）Gain
(dB)Test Freq
(MHz)目标应用 Package Process HT20340S 10-200 50 400 72 25 CW@ 40 射频能量，工业 TO247 LDMOS HTH9G09P700H(B) 600-950 40 700 68 18 Pulse@800 射频能